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杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于
分类:
电子技术基础(一)(02234)
发表:2024年08月14日 16时08分25秒
作者:
admin
阅读:
(1)
杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于
A、掺杂工艺
B、温度
C、杂质种类
D、晶体缺陷
【正确答案】:B
【题目解析】:[解析] 本题主要考查的知识点为杂质半导体中,影响少数载流子浓度的因素。[要点透析] 在杂质半导体中,少数载流子完全由本征激发产生,其浓度取决于半导体中本征激发的剧烈程度,由于温度是影响本征激发剧烈程度的主要因素,故杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于温度。
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设A、B为随机事件,
则P(AB)=_______.
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