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P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是
分类:
线性电子电路(02340)
发表:2024年08月17日 04时08分21秒
作者:
admin
阅读:
(5)
P沟道增强型MOS管工作在饱和区的条件是
A、VGS>VGS(th),VDS>VGS-VGS(th)
B、VGS >VGS (th), VDS
C、VGS
V GS-VGS(th)
D、VGS
【正确答案】:A
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在绩效考评方法中,关键事件法的优点包括()
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