微电子技术的发展历程、工艺技术和发展趋势
【正确答案】：发展历程：微电子技术是指以研究、开发和生产以集成电路为核心的电子基础元器件的技术。1947年美国的贝尔实验室制成第一个晶体管，可以说是集成电路的发端。1958年美国科学家用硅材料制成含电阻、电容的集成电路。70年代后发展成大规模集成电路，80年代制成了集成度N>10万的超大规模集成电路。微电子工艺技术主要包括：平面工艺（在1000-1100度的高温下，硅单晶片在氧气中表面被氧化，形成与硅片粘附得很牢的二氧化硅保护层，它既是很好的钝化膜，也是很好的绝缘膜）；二是光刻技术（包括照相制版、曝光显影、化学腐蚀等步骤），即采用紫外光在与硅片粘附的二氧化硅保护膜上刻出许多窗口，形成器件的图形。（这里最关键的是，二氧化硅很容易溶于氢氟酸而露出下面的硅，而曝光后的光刻胶却能抵抗氢氟酸的浸腐蚀）。三是洁净技术（集成电路工艺技术极为精细，工艺操作必须在超洁净的环境中进行，需要设计专门的洁净室和洁净流水线）。微电子技术发展趋势表现为以下几个方面：三维集成电路、量子功能器件、砷化镓微电子技术、以硅为基础的光电子学。
发展历程：微电子技术是指以研究、开发和生产以集成电路为核心的电子基础元器件的技术。1947年美国的贝尔实验室制成第一个晶体管，可以说是集成电路的发端。1958年美国科学家用硅材料制成含电阻、电容的集成电路。70年代后发展成大规模集成电路，80年代制成了集成度N>10万的超大规模集成电路。微电子工艺技术主要包括：平面工艺（在1000-1100度的高温下，硅单晶片在氧气中表面被氧化，形成与硅片粘附得很牢的二氧化硅保护层，它既是很好的钝化膜，也是很好的绝缘膜）；二是光刻技术（包括照相制版、曝光显影、化学腐蚀等步骤），即采用紫外光在与硅片粘附的二氧化硅保护膜上刻出许多窗口，形成器件的图形。（这里最关键的是，二氧化硅很容易溶于氢氟酸而露出下面的硅，而曝光后的光刻胶却能抵抗氢氟酸的浸腐蚀）。三是洁净技术（集成电路工艺技术极为精细，工艺操作必须在超洁净的环境中进行，需要设计专门的洁净室和洁净流水线）。微电子技术发展趋势表现为以下几个方面：三维集成电路、量子功能器件、砷化镓微电子技术、以硅为基础的光电子学。
