势垒高度是指化学反应发生时，反应物必须克服的能量障碍，也就是转化为产物所需的最小活化能。这个高度决定了反应的速率和可逆性，越高的势垒高度意味着反应速率越慢，反应需要更多的能量，反应也更难逆转。势垒高度的大小受多种因素影响，包括反应物的结构、温度和反应条件等。对于化学反应的理解和控制，势垒高度是一个重要的概念，有助于设计和优化反应过程。
在电子学中，势垒高度也可以指PN结的势垒高度，它等于两边的Fermi能级之差。通过已知的N区和P区的掺杂浓度，可以求得各自的Fermi能级，进而得到势垒高度。
此外，在半导体物理中，肖特基势垒高度是指在硅和金属之间形成的电势垒的高度，用来衡量势垒对于电子的阻隔作用。
通过解两维泊松方程，可以数值模拟双层多晶硅电极MOS结构，结果表明电极覆盖明显降低了双层多晶硅电极间隙的势垒高度。对于P型硅衬底，双层多晶硅电极间隙处的势垒高度随栅电压的增加先增加，达到一个最大值，然后又下降，在高栅压下趋于一个稳定值。界面电荷的存在可以降低势垒高度，当界面电荷密度大于1×10^11/cm^2时，势垒不出现。
总结来说，势垒高度是描述化学反应和电子学中能量障碍的重要概念，其大小直接影响反应速率和可逆性，并且可以通过不同的方法进行计算和测量。